高溫四探針測試儀是研究高溫條件下半導(dǎo)體或絕緣材料導(dǎo)電性能的測試儀器,可以實(shí)現(xiàn)高溫、真空、氣氛條件下測量薄膜方塊電阻、電阻率,可以實(shí)現(xiàn)常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測量功能,可以分析電阻率pv與溫度T變化的曲線,一體化集成設(shè)計,是用于變溫、真空及氣氛條件下測試半導(dǎo)體材料電學(xué)性能的測量系統(tǒng)。
高溫四探針測試儀采用手動升降平臺,該平臺可以將樣品和電極夾具一起沉降到高溫爐中,并保證樣品和測量傳感器盡可能接近,確保測量溫度與樣品溫度的一致性;高溫爐膛采用纖維一體開模鑄造而成,內(nèi)部配有超溫報警電路,確保爐膛不易燒壞。采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱結(jié)合配置專用的高溫測試探針治具,滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求,通過測控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率,電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線,是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
高溫四探針測試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換,進(jìn)行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高精確度,也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)性能研究等用途。