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2023-08-03
絕緣材料的性能及用途電阻是電導(dǎo)的倒數(shù)，電阻率是單位體積內(nèi)的電阻，材料電導(dǎo)越小，其電阻越大，兩者成倒數(shù)關(guān)系。對絕緣材料的要求，一般情況下總是希望電阻率盡可能高。絕緣電阻：用絕緣材料隔開的兩個導(dǎo)體之間的電阻，即與絕緣材料相接觸的兩電極之間的直流電壓除以通過兩電極的總電流所得的商，它等于體積電阻加表面電阻的單位用Ω(MΩ)表示。表面電阻：在絕緣材料同一表面兩導(dǎo)體間的電阻，就是在絕緣材料同一表面上的兩電極之間的直流電壓除以電極問流過的電流，即電導(dǎo)電流(泄漏電流)，單位為Ω。表面電阻率...2023-07-13
高溫介電溫譜儀在電介質(zhì)材料工程中具有廣泛的應(yīng)用。它是一種專門用于測量電介質(zhì)材料在不同溫度下的介電性能的儀器。首先，高溫介電溫譜儀可用于研究電介質(zhì)材料的介電特性。通過在不同溫度下對電介質(zhì)樣品進行介電常數(shù)、損耗因子和介電強度等參數(shù)的測量，可以了解材料在高溫環(huán)境下的電性能表現(xiàn)。這對于電介質(zhì)材料的設(shè)計、選擇和應(yīng)用至關(guān)重要。例如，在電力系統(tǒng)中，電介質(zhì)材料需要在高溫環(huán)境下承受較高的電場強度，因此了解材料的介電強度與溫度之間的關(guān)系非常重要。其次，還可用于評估電介質(zhì)材料的熱穩(wěn)定性和耐高溫性能...2023-07-12
電壓擊穿試驗儀采用計算機控制，采用人機對話方式，完成對絕緣介質(zhì)的工頻電壓擊穿，工頻耐壓試驗，主要適用于固體絕緣材料。并對實驗過程中的各種數(shù)據(jù)快速、準(zhǔn)確地進行采集、處理、存取、顯示、打印。該設(shè)備試驗過程又可由單片機實現(xiàn)控制，試驗結(jié)果顯示在液晶屏上，同時也可通過通訊口把數(shù)據(jù)傳給計算機由計算機控制試驗過程及處理試驗數(shù)據(jù)。由單片機控制有一個顯著的好處，因不用計算機，使設(shè)備安裝使用簡潔，接上一根電源線即可試驗。功能：1、試驗過程中可動態(tài)繪制出試驗曲線，試驗的曲線可以多種顏色疊加對比；2...2023-07-12
概述：凝聚態(tài)物理學(xué)是研究由大量微觀粒子（原子、分子、離子、電子）組成的凝聚態(tài)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)、粒子間的相互作用、運動規(guī)律及其物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用的科學(xué)，是當(dāng)代材料科學(xué)的物理學(xué)基礎(chǔ)。凝聚態(tài)物理學(xué)研究的方向主要有：高溫超導(dǎo)及相關(guān)強關(guān)聯(lián)體系的基本電子性質(zhì)、低維自旋和電荷系統(tǒng)、納米功能材料的基本電子性質(zhì)研究、自旋電子學(xué)材料基本性質(zhì)等，量子材料/超導(dǎo)材料／半金屬材料／異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料／超硬等都是凝聚態(tài)物理學(xué)研究的對象。綜合物性測試是凝聚態(tài)物理學(xué)的主要測試，包括電輸運測試如：電阻率、微分電阻、霍爾系...2023-07-10
電輸運測試面臨的挑戰(zhàn)：1.特殊的測試條件。一般條件下，被測樣品被放置在低溫（通常是超導(dǎo)）及磁場環(huán)境中，其低溫zuidi可達0.1mK,磁場可高達16T。在jiduan條件下，磁場可達100T脈沖強磁場，壓力可達100GPA。PPMS可以提供一般條件下的測試環(huán)境，在此環(huán)境下，測試電纜連線需考慮熱效應(yīng)及對測試結(jié)果的誤差因素。2.需要極小或極大電阻的測試。在超導(dǎo)條件下，被測樣品電阻可能低至nΩ級。而jiduan情況下，被測樣品電阻可能高達GΩ級，PPMS內(nèi)置輸運測試選件達不到要求。...2023-07-07
憶阻器憶阻器英文名為memristor,用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲（Nonvolatilememory），邏輯運算（Logiccomputing），以及類腦神經(jīng)形態(tài)計算（Brain-inspiredneuromorphiccomputing）等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)...2023-07-06
憶阻器英文名為memristor,用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器(RRAM)。憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(Nonvolatilememory)，邏輯運算(Logiccomputing)，以及類腦神經(jīng)形態(tài)計算(Brain-inspiredneuromorphiccomputing)等。這三種截然不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線，...