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2021-04-25
1.介電性能（dielectricity)概念如果將某一均勻的電介質(zhì)作為電容器的介質(zhì)而置于其兩極之間，則由于電介質(zhì)的極化，將使電容器的電容量比真空為介質(zhì)時(shí)的電容量增加若干倍。物體的這一性質(zhì)稱為介電性。2.介電性能的指標(biāo)（1）介電常數(shù)(dielectricconstant)又稱電容率或相對電容率，表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個重要數(shù)據(jù)，常用e表示。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時(shí)的電容的比值，表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力。介電常數(shù)愈小絕緣性愈好。3.介...2021-04-23
電荷在導(dǎo)體中運(yùn)動時(shí)，會受到分子和原子等其他粒子的碰撞與摩擦，碰撞和摩擦的結(jié)果形成了導(dǎo)體對電流的阻礙，這種阻礙作用明顯的特征是導(dǎo)體消耗電能而發(fā)熱（或發(fā)光)。物體對電流的這種阻礙作用，稱為該物體的電阻。電阻器（Resistor)在日常生活中一般直接稱為電阻。是一個限流元件，將電阻接在電路中后，電阻器的阻值是固定的一般是兩個引腳，它可限制通過它所連支路的電流大小。阻值不能改變的稱為固定電阻器。阻值可變的稱為電位器或可變電阻器。理想的電阻器是線性的，即通過電阻器的瞬時(shí)電流與外加瞬時(shí)電...2021-04-22
高溫介電溫譜儀可以實(shí)現(xiàn)高溫、寬頻條件下測量固體樣品的介電性能，可以通過軟件實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)和介電損耗、阻抗和相位角等參數(shù)隨多個溫度、多個頻率變化的曲線。觸摸屏控制和顯示，操作直觀、使用方便，無需外接電腦，只需簡單連接介電溫譜儀和阻抗分析儀，開機(jī)校準(zhǔn)后即可開始測量。高溫介電溫譜儀能滿足科研需求，實(shí)現(xiàn)常溫、高溫、真空、氣氛條件測量材料的介電性能；可提供塊體夾具、薄膜夾具、單樣品夾具、四樣品夾具，以滿足不同樣品的測試需求；直接測量樣品的介電常數(shù)和介電損耗、機(jī)電耦合系數(shù)，滿足科研需求。高...2021-04-22
四探針法通常用來測量半導(dǎo)體的電阻率。四探針法測量電阻率有個大的優(yōu)點(diǎn)，它不需要較準(zhǔn)；有時(shí)用其它方法測量電阻率時(shí)還用四探針法較準(zhǔn)。與四探針法相比，傳統(tǒng)的二探針法更方便些，因?yàn)樗恍枰僮鲀蓚€探針，但是處理二探針法得到的數(shù)據(jù)卻很復(fù)雜。如圖一，電阻兩端有兩個探針接觸，每個接觸點(diǎn)既測量電阻兩端的電流值，也測量了電阻兩端的電壓值。我們希望確定所測量的電阻器的電阻值，總電阻值：RT=V/I=2RW+2RC+RDUT；其中RW是導(dǎo)線電阻，RC是接觸電阻，RDUT所要測量的電阻器的電阻，顯然用...2021-04-21
耐高溫絕緣材料在汽車零部件、半導(dǎo)體工業(yè)、航天工業(yè)、石化行業(yè)、機(jī)械工業(yè)、行業(yè)、電子電器等等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，主要還是因?yàn)樗哂幸韵履托裕?、耐高溫性能：玻璃化溫度高達(dá)143C，熔點(diǎn)為343C，經(jīng)GF或CF填充后，熱變形溫度高達(dá)315C以上，長期使用溫度為260C。2、耐水解性：在高溫蒸汽和熱水中長期浸泡仍能夠保持良好的機(jī)械性能，是樹脂中抗水解性能較好的品種。3、耐化學(xué)藥品性：除了高濃度濃硫酸等強(qiáng)氧化性酸的侵蝕，耐高溫絕緣材料具有近似于PTFE樹脂的耐化學(xué)品性，而且在各種化學(xué)試...2021-04-21
熱刺激理論是在介質(zhì)物理的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，研究這一理論的方法即熱刺激法比較簡單實(shí)用而且又能較測量出某些物質(zhì)（如電介質(zhì)、絕緣材料、半導(dǎo)體、駐極體等）的微觀參數(shù)，熱刺激法是一面對材料升溫一面進(jìn)行測量，即非等溫測量。由于材料（例如介電材料)中的荷電粒子的微觀參數(shù)（如活化能H、松弛時(shí)間等）不同，用熱刺激法就很容易將材料中的各種不同H或松弛時(shí)間的荷電粒子分離開來，從而求出各自的參數(shù)。因?yàn)闊岽碳る娏髋c材料的這些參數(shù)（如H與松弛時(shí)間）密切相關(guān)，故它是一種研究介電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料等...2021-04-20
高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)可以*實(shí)現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴(kuò)散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。高溫四探針綜合測試系統(tǒng)符合的標(biāo)準(zhǔn)：1、符合GB/T1551-2009《硅單晶電阻率測定方法》2、符合GB/T1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》最后我們來了解一下高溫四探針綜合測試系統(tǒng)的應(yīng)用：1、測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材...